Salah satu produk dari hasil penelitian fundamental tahun 2006-2007 yang didanai DP2M Dikti berupa paten dengan judul metode penumbuhan lapisan tipis berbasis silikon dengan sistem hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) dan peralatannya.
ABSTRAK - Invensi
ini berhubungan dengan Metode
pembuatan lapisan tipis berbasis silikon (silikon amorf, dan mikrokristal
silikon) dengan sistem hot wire pecvd
dan peralatannya. Suatu
metode penumbuhan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H dan mc-Si), yang dicirikan pemanasan substrat
dengan menggunakan filamen panas dan substrat dipanaskan dengan filamen panas dari atas substrat.Suatu peralatan
untuk menumbuhkan lapisan
tipis berbasis silikon (a-Si:H dan mc-Si), yang terdiri dari : Chamber, sistem perpipaan;Pompa vakum,Pengontrol
temperatur Regulator 4754 Matheson,Mass Flow Controller (MFC), TC 051 Pressure
gauge meter,W-520 Revex SWR Power meter,2 HP 3 phase blower, Gas Leak Detection
System, Shutter, Feed Through empat kutub, Infrared pyrometer, filamen, yang
dicirikan oleh filamen
pemanas berbentuk U,
terbuat dari kawat tungsten berdiameter 0,05 cm dengan panjang 30 cm ditempatkan diantara kedua elektroda di atas shutter yang berfungsi untuk
memanaskan substrat.
BERITA RESMI PATEN - Paten tersebut telah dipublikasikan dalam berita resmi paten Direktorat Paten Direktorat Jenderal Hak Kekayaan Intelektual Kementerian Hukum dan Hak Asasi Manusia Republik Indonesia edisi Nomor 310 Tahuun ke 19 Januuari 2010 tanggal 28 Januari 2010.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar