Minggu, 08 Januari 2012

Publikasi Paten

Salah satu produk dari hasil penelitian fundamental tahun 2006-2007 yang didanai DP2M Dikti berupa paten dengan judul metode penumbuhan lapisan tipis berbasis silikon dengan sistem hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) dan  peralatannya.
ABSTRAK - Invensi ini berhubungan dengan Metode pembuatan lapisan tipis berbasis silikon (silikon amorf, dan mikrokristal silikon) dengan sistem hot wire pecvd dan peralatannya. Suatu metode penumbuhan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H dan  mc-Si), yang dicirikan pemanasan substrat dengan menggunakan filamen panas dan substrat dipanaskan dengan filamen panas dari atas substrat.Suatu peralatan untuk menumbuhkan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H dan  mc-Si), yang terdiri dari : Chamber, sistem perpipaan;Pompa vakum,Pengontrol temperatur Regulator 4754 Matheson,Mass Flow Controller (MFC), TC 051 Pressure gauge meter,W-520 Revex SWR Power meter,2 HP 3 phase blower, Gas Leak Detection System, Shutter, Feed Through empat kutub, Infrared pyrometer, filamen, yang dicirikan oleh filamen pemanas berbentuk U, terbuat dari kawat tungsten berdiameter 0,05 cm dengan panjang 30 cm ditempatkan diantara kedua elektroda di atas shutter yang berfungsi untuk memanaskan substrat.
BERITA RESMI PATEN - Paten tersebut telah dipublikasikan dalam berita resmi paten Direktorat Paten Direktorat Jenderal Hak Kekayaan Intelektual Kementerian Hukum dan Hak Asasi Manusia Republik Indonesia edisi Nomor 310 Tahuun ke 19 Januuari 2010 tanggal 28 Januari 2010. 

Tidak ada komentar:

Posting Komentar