Telah ditumbuhkan lapisan tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi (µc-Si:H) di atas gelas Corning 7059 dengan sistem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD) Gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H) digunakan sebagai sumber gas. Pengaruh temperatur substrat terhadap laju deposisi, sifat optik, sifat listrik dan struktur lapisan masing-masing dianalisisi melalui ketebalan lapisan, celah pita optik, konduktivitas gelap dan strukturnya.
Laju deposisi bervariasi dari 3,22 µm/jam sampai 5,24 µm/jam untuk temperatur substrat dari 175C sampai 275C pada laju aliran SiH4 70 sccm dan temperatur filamen ~ 1000 C. Celah pita optik yang diperoleh bervariasi dari 1,13 eV sampai 1,44 eV untuk temperatur substrat dari 175C sampai 225 C.Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan pada temperatur substrat 275C menunjukkan kehadiran struktur µc-Si:H yang ditandai dengan adanya puncak spektrum pada orientasi kristal <111>, <220>, dan <311>. Selengkapnya
Laju deposisi bervariasi dari 3,22 µm/jam sampai 5,24 µm/jam untuk temperatur substrat dari 175C sampai 275C pada laju aliran SiH4 70 sccm dan temperatur filamen ~ 1000 C. Celah pita optik yang diperoleh bervariasi dari 1,13 eV sampai 1,44 eV untuk temperatur substrat dari 175C sampai 225 C.Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan pada temperatur substrat 275C menunjukkan kehadiran struktur µc-Si:H yang ditandai dengan adanya puncak spektrum pada orientasi kristal <111>, <220>, dan <311>. Selengkapnya
Tidak ada komentar:
Posting Komentar