Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD

Abstrak - Telah   ditumbuhkan   lapisan   tipis   berbasis silikon (a-Si:H, dan mc-Si:H) di atas gelas Corning 7059 dengan sistem hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD). Gas silan (SiH4) 10% dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Laju deposisi lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan meningkat dan celah pita optik menurun seiring dengan peningkatan laju aliran gas silan. Lapisan tipis µc-Si:H telah berhasil ditumbuhkan dengan orientasi kristal <111>, <220>, dan <311> yang merupakan karakteristik dari fasa Kristal. 

Kata Kunci: a-Si:H, mc-Si:H, Hot Wire PECVD. 

Makalah hasil penelitian fundamental yang dibiayai oleh DP2M DIKTI Tahun anggaran 2006-2007 ini telah dipresentasikan pada Seminar Nasional Hasil Penelitian Multi Tahun yang dilaksanakan di Hotel Millenium dari tanggal 4 sampai 6 Agustus 2008 berdasarkan surat Direktorat Penelitian dan Pengabdian kepada Masyarakat Ditjen Dikti Depdiknas No. 774/D3/PL/2008, tanggal 17 Juli 2008 tentang seminar hasil multi tahun dan surat nomor 1052/D3/PL/2008 tanggal 25 September 2008 tentang penghargaan peneliti.