Pengaruh Penambahan Gas Metan pada Gas Silan terhadap Celah Pita Optik Lapisan Tipis Silikon Amorf Karbida Terhidrogenasi

Lapisan tipis silikon amorf karbida terhidrogenasi dengan celah pita optik yang bervariasi dari 1,75 eV sampai 1,90 eV dengan variasi laju aliran gas silan dari 50 sccm sampai 80 sccm telah ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan menggunakan reaktor PECVD ganda yang ada di Laboratorium Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB. Penelitian ini didukung dana proyek Center Grant Laboratorium Fismatel Jurusan Fisika ITB periode 1999-2000 dan dipublikasi dalam Jurnal Eksakta Tadulako, Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako Tahun 2004.