Telah ditumbuhkan lapisan tipis a-Si:H di atas gelas Corning 7059 dengan teknik plasma enhanced chemical vapor deposition. Celah pita optik lapisan tipis a-Si:H bervariasi dari 1,70 eV - 1,95 eV untuk variasi aju aliran gas silan 50-110 sccm. Pengukuran awal terhadap lapisan tipis yang dihasilkan menunjukkan konduktivitas geap relatif konstan untuk laju aliran gas silan dari 60-90 sccm. Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium PECVD dan didukung dana proyek Center Grant Laboratorium Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB periode 1999-2000, serta dipublikasi dalam "Media Eksakta, Jurnal Matematika dan Sains Tadulako" Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako Tahun 2005.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar