Optimasi Parameter Tekanan pada Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD

Syamsu, Amiruddin Kade dan Haeruddin

Program Studi Pendidikan Fisika, FKIP Untad, Jl. Soekarno Hatta Km. 8 Tondo, Palu 94118, Indonesia

E-mail : syamsultan@yahoo.com

Abstract

The HW-PECVD system was then applied to grow a-Si:H thin films on corning glass 7059 by using 10% silane (SiH4) gas diluted in hydrogen (H2) as gas source. By optimization of deposition presure, a better quality a-Si:H thin films with dark conductivities is relative high (4.23x10-9 S/cm). The deposition rate and the optical band gap of the a-Si:H thin film were 0.68 Å/s and 1.98 eV. These results showed that by using HW-PECVD system, the optical properties was successfully increased without deteriorating in the electrical properties.

Kata Kunci  : a-Si:H, celah pita optik, konduktivitas, HW-PECVD

Pernyataan Terima Kasih

Kegiatan penelitian ini sepenuhnya dibiayai oleh DP2M Dikti melalui Hibah Penelitian Fundamental 2007 dengan nomor kontrak: 051/SP2H/PP/DP2M/III/2007 Tanggal 29 Maret 2007. Demikian pula kami tidak lupa mengucapkan terima kasih kepada Amiruddin Supu dan T Winata  atas diskusi dan kerjasamanya selama dalam proses penelitian.

Pustaka : Media Eksakta Jurnal Matematika dan Sains Tadulako, Vol. 5 (2), Juli 2009.
Halaman : Daftar Isi, Keterangan: 4 hal., bahasa indonesia,  Naskah Lengkap : formad PDF Versi: Cetak