Selasa, 24 Januari 2012

Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD

Telah ditumbuhkan lapisan tipis mikrokristal silikon di atas gelas Corning 7059 dengan sistem hot wire pecvd. Gas silan 10% dalam hidrogen digunakan sebagai sumber gas. Laju deposisi bervariasi dari 0,89 A/s sampai 1,90 A/s, dan celah pita optik bervariasi dari 1,68 eV sampai 1,56 eV untuk daya rf yang bervariasi dari 60-120 watt pada temperatur filamen 800 C. Penelitian ini terlaksana atas bantuan dana DP2M DIKTI melalui skim hibah penelitian fundamnetal tahun 2006-2007 dan dipublikasikan dalam Jurnal Fisika "Gravitasi, Wahana Interaksi Imiah" Jurusan Fisika FMIPA Universitas Tadulako Tahun 2007.

Tidak ada komentar:

Posting Komentar