Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H tipe p, i,dan n dengan Sistem Hot Wire PECVD

Intisari: 

Telah ditumbuhkan lapisan tipis  mikrokristal silikon terhidrogenasi tipe p, i, dan i di atas wafer silikon dengan sistem hot wire pecvd. Gas silan 10% dalam hidrogen digunakan sebagai sumber gas dan phospin dan diboron dalam gas hidrogen digunakan sebagai dopan gas. Laju deposisi, sifat listrik dan strukturnya dianalisis melalui ketebalan, konduktivitas gelap,dan struktur kristalnya.

Selengkapnya