Sabtu, 21 Januari 2012

Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD

Syamsu
PS Pendidikan Fisika, FKIP Untad, Jl. Soekarno Hatta Km. 8 Tondo, Palu 94118, Indonesia
                            
Abstrak-Telah ditumbuhkan lapisan tipis a-Si:H di atas gelas corning 7059 dengan sistem hot wire pecvd. Penumbuhan dilakukan dengan optimasi temperatur filamen dari 500 C sampai 1000 C pada temperatur substrat 200 C. Penelitian ini dilaksanakan atas bantuan dana DP2M Dikti tahun 2006 kategori skim penelitian fundamnetal dan dipublikasikan pada prosiding seminar nasional fisika jurusan fisika FMIPA Untad tahun 2006 dan Media Eksakta Jurnal Matematika dan Sains Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Untad Tahun 2011.

Pernyataan Terima Kasih-



Kegiatan penelitian ini sepenuhnya dibiayai oleh DP2M Dikti melalui Hibah Penelitian Fundamental 2006 dengan nomor kontrak: 033/SP3/PP/DP2M/2006 Tanggal 1 Pebruari 2006. Demikian pula kami tidak lupa mengucapkan terima kasih kepada Amiruddin Kade, Haeruddin, Amiruddin Supu dan T Winata  atas diskusi dan kerjasamanya selama dalam proses penelitian.     

Tidak ada komentar:

Posting Komentar