Daftar Nilai Hasil Ujian Termodinamika

Berdasarkan hasil ujian dan beberapa aspek penilaian lainnya, maka ditentukan Daftar Nilai Hasil Ujian mata kuiah Termodinamika Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Universitas Tadulako kelas B. Kepada mahasiswa yang memperoleh nilai Tunda diharapkan melapor ke penanggungjawab mata kuliah termodinamika selambatnya satu bulan setelah diumumkan.

Daftar Nilai Hasil Ujian Mekanika

Berdasarkan hasil ujian bagian I dan II serta aspek lainnya, maka telah ditentukan nilai hasil ujian mekanika mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Universitas Tadulako kelas A Semester Ganjil 2011/2012. Kepada mahasiswa yang memperoleh nilai tunda diharapkan segera melapor ke dosen pengampu mata kuliah selambatnya satu bulan setelah diumumkan.

Pengaruh Penambahan Gas Metan pada Gas Silan terhadap Celah Pita Optik Lapisan Tipis Silikon Amorf Karbida Terhidrogenasi

Lapisan tipis silikon amorf karbida terhidrogenasi dengan celah pita optik yang bervariasi dari 1,75 eV sampai 1,90 eV dengan variasi laju aliran gas silan dari 50 sccm sampai 80 sccm telah ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan menggunakan reaktor PECVD ganda yang ada di Laboratorium Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB. Penelitian ini didukung dana proyek Center Grant Laboratorium Fismatel Jurusan Fisika ITB periode 1999-2000 dan dipublikasi dalam Jurnal Eksakta Tadulako, Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako Tahun 2004.

Karakterisasi Sifat Optik dan Listrik Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogensi untuk Aplikasi Divais Optoelektronik

Telah ditumbuhkan lapisan tipis a-Si:H di atas gelas Corning 7059 dengan teknik plasma enhanced chemical vapor deposition. Celah pita optik lapisan tipis a-Si:H bervariasi dari 1,70 eV - 1,95 eV untuk variasi aju aliran gas silan 50-110 sccm. Pengukuran awal terhadap lapisan tipis yang dihasilkan menunjukkan konduktivitas geap relatif konstan untuk laju aliran gas silan dari 60-90 sccm. Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium PECVD dan didukung dana proyek Center Grant Laboratorium Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB periode 1999-2000, serta dipublikasi dalam "Media Eksakta, Jurnal Matematika dan Sains Tadulako" Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako Tahun 2005.

Implementasi Authentic Assesment dalam Pembelajaran Fisika untuk Menilai Kinerja Siswa

Hasil penelitain menunjukkan bahwa implementasi authentic assesment melalui model pembelajaran kooperatif dapat meniai hasil belajar fisika yang autentik, dan meningkatkan minat, motivasi dan semangat dalam mempelajari mata pelajaran fisika pada setiap siklus. Peneitian ini merupakan penelitian kolaborasi dosen Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Universitas Tadulako dengan guru fisika SMP Negeri 1 Palu yang didanai oleh Direktorat Ketenagaan DIKTI Tahun 2005, dan dipublikasikan dalam "Media Eksakta, Jurnal Matematika dan Sains Tadulako" Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako tahun 2006.

Preliminary Study of Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Film Deposition by Hot Wire PECVD Method

Hydrogenated microcrystalline silicon thin film has been grown on silicon wafer and 7059 corning glass substrates by using hot wire pecvd method. Electrical, optical, and structural properties are charecterized by determining the conductivity, optical bandgap, X-ray Diffraction, and scanning electron microscopy of the grown films. This work was supported by the DCRG URGE project under contract No: 032/DCRG/URGE/2000 Tadulako University and accepted for publication at Physics Journal "Gravitasi, Wahana Interaksi Ilmiah" Departement of Physics Tadulako University July-December 2003.

Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD

Telah ditumbuhkan lapisan tipis mikrokristal silikon di atas gelas Corning 7059 dengan sistem hot wire pecvd. Gas silan 10% dalam hidrogen digunakan sebagai sumber gas. Laju deposisi bervariasi dari 0,89 A/s sampai 1,90 A/s, dan celah pita optik bervariasi dari 1,68 eV sampai 1,56 eV untuk daya rf yang bervariasi dari 60-120 watt pada temperatur filamen 800 C. Penelitian ini terlaksana atas bantuan dana DP2M DIKTI melalui skim hibah penelitian fundamnetal tahun 2006-2007 dan dipublikasikan dalam Jurnal Fisika "Gravitasi, Wahana Interaksi Imiah" Jurusan Fisika FMIPA Universitas Tadulako Tahun 2007.

Optimasi Parameter Tekanan pada Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD

Syamsu, Amiruddin Kade dan Haeruddin

Program Studi Pendidikan Fisika, FKIP Untad, Jl. Soekarno Hatta Km. 8 Tondo, Palu 94118, Indonesia

E-mail : syamsultan@yahoo.com

Abstract

The HW-PECVD system was then applied to grow a-Si:H thin films on corning glass 7059 by using 10% silane (SiH4) gas diluted in hydrogen (H2) as gas source. By optimization of deposition presure, a better quality a-Si:H thin films with dark conductivities is relative high (4.23x10-9 S/cm). The deposition rate and the optical band gap of the a-Si:H thin film were 0.68 Å/s and 1.98 eV. These results showed that by using HW-PECVD system, the optical properties was successfully increased without deteriorating in the electrical properties.

Kata Kunci  : a-Si:H, celah pita optik, konduktivitas, HW-PECVD

Pernyataan Terima Kasih

Kegiatan penelitian ini sepenuhnya dibiayai oleh DP2M Dikti melalui Hibah Penelitian Fundamental 2007 dengan nomor kontrak: 051/SP2H/PP/DP2M/III/2007 Tanggal 29 Maret 2007. Demikian pula kami tidak lupa mengucapkan terima kasih kepada Amiruddin Supu dan T Winata  atas diskusi dan kerjasamanya selama dalam proses penelitian.

Pustaka : Media Eksakta Jurnal Matematika dan Sains Tadulako, Vol. 5 (2), Juli 2009.
Halaman : Daftar Isi, Keterangan: 4 hal., bahasa indonesia,  Naskah Lengkap : formad PDF Versi: Cetak 

Sintesis Nanokristal TiO2 dengan Modifikasi Bubuk TiO2 Komersil

Nanokristal TiO₂ akan disintesis dengan memodifikasi bubuk TiO₂ (Merck). Bubuk TiO₂ direncanakan akan diaduk di dalam larutan 1M HCl selama beberapa jam, kemudian ditambahkan larutan ammonia (NH₄OH). Suspensi TiO₂ disebarkan hingga rata di atas substrat kaca kemudian dipanaskan pada suhu berbeda. Struktur dan sifat optik lapisan TiO₂ akan diinvestigasi. Uji uji XRD akan dilakukan untuk mengetahui struktur kristal TiO₂ dan ukuran kristalnya terhadap suhu pemanasan. Rencana penelitian ini merupakan bagian dari hibah penelitian pekerdi kerjasama Universitas Tadulako dengan IPB Bogor yang berjudul Sintesis dan Karakterisasi Nanokristal TiO2 untuk Aplikasi Sel Surya.

Analisis Tingkat Pemahaman Konsep IPA-Fisika Guru SD di Kecamatan Baolan Kabupaten Toli-Toli

Telah dilakukan penelitian yang bertujuan untuk memperoleh gambaran yang akurat tentang pemahaman konsep IPA-Fisika guru SD. Subyek dalam penelitian ini adalah semua guru SD yang mengajar mata pelajaran IPA-Fisika dengan jumlah 195 orang dari 65 SDN yang ada di Kecamatan Baolan Kabupaten Toli-Toli pada tahun 2003. Hasil penelitian menunjukkan rata-rata persentase tingkat pemahaman konsep IPA-Fisika guru SD pada setiap pokok bahasan sebesar 55,58% (kategori sedang), dan pokok bahasan listrik yang masih kurang dipahami oleh guru (46,95%). Penelitian ini merupakan persyaratan untuk memperoleh gelar Sarjana Pendidikan dan dipublikasikan dalam Media Eksakta Jurnal Matematika dan Sains, Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako Tahun 2009.

Implementasi Model Genius Learning untuk Meningkatkan Hasil Belajar Fisika Siswa SMP Negeri 3 Palu

Telah dilakukan penelitian tindakan kelas yang bertujuan untuk meningkatkan hasil belajar siswa kelas VII C SMP Negeri 3 Pau dengan menerapkan model genius learning. Hasil penelitian menunjukkan adanya peningkatan hasil belajar fisika dengan persentase ketuntasan klasikal pada siklus I dan II masing-masing mencapai 82,92% dan 87,80%. Penelitian ini merupakan persyaratan untuk memperoleh sertifikat pendidik bagi guru dalam jabatan dan dipublikasikan dalam Media Eksakta Jurnal Matematika dan Sains, Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Universitas Tadulako Tahun 2009.

Re-Evaluasi Mekanika

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas A yang memprogramkan mata kuliah fisika mekanika diharapkan mengikuti ujian Re-Evaluasi yang insya allah akan dilaksanakan pada hari Rabu, 25 Januari 2012, Jam 09.00-Selesai di Ruang Sertfikasi Guru.

Pemetaan Kompetensi Hasil Ujian Nasional dan Model Pengembangan Mutu Pendidikan SMA di Kabupaten Sigi dan Donggala Propinsi Sulawesi Tengah

Telah dilakukan pemetaan kompetensi hasil ujian nasional dan penyusunan model pengembangan mutu pendidikan SMA di Kabupaten Sigi dan Donggala Propinsi Sulawesi Tengah. Hasil pemetaan menunjukkan bahwa hampir semua mata pelajaran yang di Ujian Nasionalkan cenderung memberikan hasil pencapaian standar kompetensi dan kompetensi dasar yang rendah. Untuk itu, diperlukan pemetaan kompetensi siswa SMA tiap pokok bahasan tertentu, menemukan rumusan alternatif pemecahan untuk meningkatkan kompetensi siswa, dan merumuskan model implementasi pemecahan masalah dengan menyertakan berbagai institusi terkait. Hasil penelitian ini telah diseminarkan di tingkat propinsi dan didokumentasikan dalam bentuk laporan akhir penelitian.

Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD

Syamsu

PS Pendidikan Fisika, FKIP Untad, Jl. Soekarno Hatta Km. 8 Tondo, Palu 94118, Indonesia

                            
Abstrak-Telah ditumbuhkan lapisan tipis a-Si:H di atas gelas corning 7059 dengan sistem hot wire pecvd. Penumbuhan dilakukan dengan optimasi temperatur filamen dari 500 C sampai 1000 C pada temperatur substrat 200 C. Penelitian ini dilaksanakan atas bantuan dana DP2M Dikti tahun 2006 kategori skim penelitian fundamnetal dan dipublikasikan pada prosiding seminar nasional fisika jurusan fisika FMIPA Untad tahun 2006 dan Media Eksakta Jurnal Matematika dan Sains Jurusan Pendidikan MIPA FKIP Untad Tahun 2011.

Pernyataan Terima Kasih-

Kegiatan penelitian ini sepenuhnya dibiayai oleh DP2M Dikti melalui Hibah Penelitian Fundamental 2006 dengan nomor kontrak: 033/SP3/PP/DP2M/2006 Tanggal 1 Pebruari 2006. Demikian pula kami tidak lupa mengucapkan terima kasih kepada Amiruddin Kade, Haeruddin, Amiruddin Supu dan T Winata  atas diskusi dan kerjasamanya selama dalam proses penelitian.     

Ujian Bagian II Termodinamika

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas B yang telah mengikuti Ujian Bagian II (Ujian Akhir Semester) matakuliah Termodinamika diharapkan untuk mengunduh Soal dan Penyelesaian agar dapat memprediksi hasil ujiannya. Kepada mahasiswa yang belum sempat hadir karena sesuatu alasan yang dapat diterima diharapkan mengikuti ujian susulan paling lambat Sabtu, 21 Januari 2012, Jam 09.00 sampai selesai di Ruang Panitia Sertifikasi Guru.

Ujian Bagian II Mekanika

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas A yang telah mengikuti Ujian Bagian II (Ujian Akhir Semester) diharapkan untuk mengunduh soal dan penyelesaian agar dapat memprediksi hasil ujiannya. Kepada mahasiswa yang tidak sempat hadir karena alasan yang dapat diterima ujian susulan akan dilayani paling lambat Sabtu, 21 januari 2012, Jam 09.00 sampai selesai di Ruang Sertifikasi Guru.

Revisi Ujian Bagian II Termodinamika

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad yang memprogramkan mata kuliah termodinamika kelasB. Ujian Bagian II (Ujian Akhir Semester) diundur (revisi) pelaksanaannya ke hari Selasa, 17 Januari 2012, Jam 08.00-10.00 di Ruang Laboratorium Fisika Dasar

Ujian Bagian II Fisika Dasar I

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas C yang telah mengikuti Ujian Bagian II (Ujian Akhir Semester) diharapkan untuk mengunduh Soal dan Penyelesain agar dapat mempredikasi hasil yang diperoleh. Kepada mahasiswa yang tidak sempat hadir karena alasan yang dapt diterima diharapkan dapat mengikuti Ujian Susulan yang Insya Allah akan dilaksanakan pada hari Senin, 16 Janauri 2012, Jam 09.00 sampai selesai di Ruang Panitia Sertifikasi Guru.

Ujian Bagian II Fisika Dasar

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Biologi kelas A yang telah mengikuti Ujian Bagian II (Ujian Akhir Semester) mata kuliah Fisika Dasar diharapkan dapat mengunduh Soal dan Penyelesaian agar dapat memprediksi hasil ujiannya.

Ujian Bagian I Mekanika

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas A yang telah mengikuti Ujian Bagian I mata kuliah Mekanika semester ganjil 2011/2012 diharapkan untuk mengunduh Soal dan Penyelesaian agar dapat mengklarifikasi hasil ujiannya paling lambat Sabtu, 14 Januari 2012.

Bimbingan Tugas Akhir

Kepada mahasiswa Program Studi Pendidikan Fisika dan PGSD FKIP dan Program Studi Pendidikan Sains Pascasarjana Untad diharapkan kehadirannya untuk mengikuti paparan dan bimbingan penyusunan proposal dan laporan hasil penelitian tugas akhir. Kegiatan tersebut akan dilaksanakan pada setiap hari kerja dari jam 14.00-selesai di Ruang Seminar Lab. Fisika FKIP (Periode 9 sampai 30 Januari 2012).

Mekanika

Kepada peserta mata kuliah Mekanika Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas A. Ujian Akhir Semester akan dilaksanakan pada hari Sabtu, 14 Januari 2012, Jam 08.00-10.30 di Laboratorium Fisika.

Termodinamika

Kepada peserta mata kuliah termodinamika Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas B. UJian Akhir Semester akan dilaksanakan pada hari Jum'at, 13 Januari 2012 Jam 08.00-10.30 di ruang BT 05B.

Fisika Dasar I

Kepada peserta mata kuliah Fisika Dasar I Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad kelas C. Ujian Akhir Semester akan dilaksanakan pada hari Kamis, 12 Januari 2012, jam 08.00-10.30 di ruang BT 05B.

Konsep Dasar Sains SD

Kepada peserta mata kuliah Konsep Dasar Sains SD Program Studi PGSD FKIP Untad kelas B. Ujian Akhir Semester akan dilaksanakan pada hari Rabu, 11 Januari 2012 Jam  08.00-10.00 di Ruang PGSD-2.

Fisika Dasar untuk Biologi

Kepada peserta kuliah Fisika Dasar Program Studi Pendidikan Biologi FKIP Untad kelas A diharapkan untuk mengerjakan soal pokok bahasan momentum, rotasi benda tegar, statika fluida dan dinamika fluida yang telah tersedia pada Modul. Ujian akhir semester akan dilaksanakan pada hari Selasa, 10 Januari 2012 jam 08.00-09.40 di BT 13.

artikel 3

 gambar 1

Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H tipe p, i,dan n dengan Sistem Hot Wire PECVD

Intisari: 

Telah ditumbuhkan lapisan tipis  mikrokristal silikon terhidrogenasi tipe p, i, dan i di atas wafer silikon dengan sistem hot wire pecvd. Gas silan 10% dalam hidrogen digunakan sebagai sumber gas dan phospin dan diboron dalam gas hidrogen digunakan sebagai dopan gas. Laju deposisi, sifat listrik dan strukturnya dianalisis melalui ketebalan, konduktivitas gelap,dan struktur kristalnya.

Selengkapnya

Growth of Polycrystal Silicon Thin Film by Hot Wire PECVD System for TFT Devices

ABSTRACT  Polycrystalline silicon thin films were grown  on silicon wafer substrate by using  hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) system.   10% of silane (SiH4) gas diluted in hydrogen were used as gas sources.  The effect of substrate temperature on their deposition rate,  layer structures and electrical properties were analyzed  trough the layer thickness,  crystal structure and dark conductivity. The deposition rate varies from 8.95 A/s to 14.57 A/s for substrates temperature from 175C to  275 C at gas flow rates  of 70 sccm and  filament temperatures of 1000 C.  Selengkapnya

Termodinamika

Kepada peserta kuliah termodinamika kelas B, diharapkan untuk mengerjakan soal-soal setiap bab yang telah tersedia pada bahan ajar termodinamika.

Mekanika

Kepada peserta kuliah mekanika diharapkan mengumpulkan tugas 1 dan 2 paling lambat jam 16.00 wita sabtu, 17 Januari 2012 di Laboratorium Fisika FKIP Untad.

Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya

Abstrak.

Telah ditumbuhkan lapisan tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi (µc-Si:H) di atas gelas Corning 7059 dengan sistem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD) Gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H) digunakan sebagai sumber gas. Pengaruh temperatur substrat terhadap laju deposisi, sifat optik, sifat listrik dan struktur lapisan masing-masing dianalisisi melalui ketebalan lapisan, celah pita optik, konduktivitas gelap dan strukturnya.
Laju deposisi bervariasi dari 3,22 µm/jam sampai 5,24 µm/jam untuk temperatur substrat dari 175C sampai 275C pada laju aliran SiH4 70 sccm dan temperatur filamen ~ 1000 C. Celah pita optik yang diperoleh bervariasi dari 1,13 eV sampai 1,44 eV untuk temperatur substrat dari 175C sampai 225 C.Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan pada temperatur substrat 275C menunjukkan kehadiran struktur µc-Si:H yang ditandai dengan adanya puncak spektrum pada orientasi kristal <111>, <220>, dan <311>.   Selengkapnya

Sertifikasi Dosen

Tahun 2009 merupakan tahun ke-2 pelaksanaan sertiikasi dosen yang mempersyaratkan portofolio dosen. Portofolio tersebut berupa deskripsi diri dan curriculum vitae dari masing-masing dosen yang diusulkan untuk diperiksa secara manual oleh asesor dari perguruan tinggi lain. Contoh portopolio dosen.

Fisika Dasar I

Kepada peserta kuliah Fisika Dasar I Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad Kelas C, diharapkan untuk mengerjakan soal pokok bahasan usaha dan energi, momentum, rotasi benda tegar, statika fluida dan dinamika fluida yang telah tersedia pada Modul Fisika Dasar I. Ujian Akhir Semester akan dilaksanakan sesuai dengan jadwal yang telah ditentukan.

Publikasi Paten

Salah satu produk dari hasil penelitian fundamental tahun 2006-2007 yang didanai DP2M Dikti berupa paten dengan judul metode penumbuhan lapisan tipis berbasis silikon dengan sistem hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) dan  peralatannya.

ABSTRAK - Invensi ini berhubungan dengan Metode pembuatan lapisan tipis berbasis silikon (silikon amorf, dan mikrokristal silikon) dengan sistem hot wire pecvd dan peralatannya. Suatu metode penumbuhan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H dan  mc-Si), yang dicirikan pemanasan substrat dengan menggunakan filamen panas dan substrat dipanaskan dengan filamen panas dari atas substrat.Suatu peralatan untuk menumbuhkan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H dan  mc-Si), yang terdiri dari : Chamber, sistem perpipaan;Pompa vakum,Pengontrol temperatur Regulator 4754 Matheson,Mass Flow Controller (MFC), TC 051 Pressure gauge meter,W-520 Revex SWR Power meter,2 HP 3 phase blower, Gas Leak Detection System, Shutter, Feed Through empat kutub, Infrared pyrometer, filamen, yang dicirikan oleh filamen pemanas berbentuk U, terbuat dari kawat tungsten berdiameter 0,05 cm dengan panjang 30 cm ditempatkan diantara kedua elektroda di atas shutter yang berfungsi untuk memanaskan substrat.

BERITA RESMI PATEN - Paten tersebut telah dipublikasikan dalam berita resmi paten Direktorat Paten Direktorat Jenderal Hak Kekayaan Intelektual Kementerian Hukum dan Hak Asasi Manusia Republik Indonesia edisi Nomor 310 Tahuun ke 19 Januuari 2010 tanggal 28 Januari 2010.